2D-nanodraden maken componenten onzichtbaar
Elektronische componenten zijn volgens MIT-news met behulp van 2DNanowires zó klein te maken, dat ze onzichtbaar worden. De volgende revolutie in de elektronica zou dus wel eens kunnen gaan over de ontwikkeling van vlakke, bijna tweedimensionale halfgeleiders, die net als grafeen maar enkele atoomlagen dik zijn...
Elektronische componenten zijn volgens MIT-News met behulp van 2DNanowires zó klein te maken, dat ze onzichtbaar worden. De volgende revolutie in de elektronica zou dus wel eens kunnen gaan over de ontwikkeling van vlakke, bijna tweedimensionale halfgeleiders, die net als grafeen maar enkele atoomlagen dik zijn.
De nanodraden zijn gebaseerd op een techniek die is ontwikkeld door onderzoekers aan de King Abdullah University in Saoedi-Arabië. Ze bestaan uit een combinatie van molybdeen-disulfide en bismut-diselenide. Beide materialen hebben halfgeleidende eigenschappen en zijn dus geschikt als basismaterialen voor elektronische onderdelen. Onderzoekers aan de Cornell University zijn erin geslaagd om draden uit molybdeen-disulfide te trekken, die maar enkele atoomlagen dik zijn. Het materiaal bevat kanalen uit bismut-diselenide. In samenwerking met andere onderzoekers uit Taiwan en Texas is nu een computermodel van het materiaal ontwikkeld.
Bij het MIT wordt nu gedacht aan elektronische componenten, effectieve zonnecellen en apparaten voor het elektrolytisch scheiden van water in waterstof en zuurstof met behulp van zonne-energie. Omdat de meeste gebeurtenissen zich afspelen aan de oppervlakte van materialen, kan met de vergrote oppervlakte van veel nanodraden de effectiviteit worden verbeterd. De potentiële mogelijkheden worden zó groot ingeschat, dat gespeculeerd wordt, dat deze techniek silicium weleens zou kunnen gaan vervangen bij toepassingen in het nanobereik. De doorsnede van atomen is altijd nog een orde van grootte kleiner dan een nanometer.
De nanodraden zijn gebaseerd op een techniek die is ontwikkeld door onderzoekers aan de King Abdullah University in Saoedi-Arabië. Ze bestaan uit een combinatie van molybdeen-disulfide en bismut-diselenide. Beide materialen hebben halfgeleidende eigenschappen en zijn dus geschikt als basismaterialen voor elektronische onderdelen. Onderzoekers aan de Cornell University zijn erin geslaagd om draden uit molybdeen-disulfide te trekken, die maar enkele atoomlagen dik zijn. Het materiaal bevat kanalen uit bismut-diselenide. In samenwerking met andere onderzoekers uit Taiwan en Texas is nu een computermodel van het materiaal ontwikkeld.
Bij het MIT wordt nu gedacht aan elektronische componenten, effectieve zonnecellen en apparaten voor het elektrolytisch scheiden van water in waterstof en zuurstof met behulp van zonne-energie. Omdat de meeste gebeurtenissen zich afspelen aan de oppervlakte van materialen, kan met de vergrote oppervlakte van veel nanodraden de effectiviteit worden verbeterd. De potentiële mogelijkheden worden zó groot ingeschat, dat gespeculeerd wordt, dat deze techniek silicium weleens zou kunnen gaan vervangen bij toepassingen in het nanobereik. De doorsnede van atomen is altijd nog een orde van grootte kleiner dan een nanometer.