50V-GaN-HEMT-transistoren voor UHF van Wolfspeed
De nieuwe transistors van Wolfspeed zijn speciaal ontwikkeld voor de groeiende UHF-radarmarkt en zijn bedoeld voor apparaten in militaire toepassingen, openbare veiligheid en mobiele toepassingen. Door de Ga-techniek (galliumnitride) worden de elektrische eigenschappen verbeterd.
De nieuwe transistors van Wolfspeed zijn speciaal ontwikkeld voor de groeiende UHF-radarmarkt en zijn bedoeld voor apparaten in militaire toepassingen, openbare veiligheid en mobiele toepassingen. Door de Ga-techniek (galliumnitride) worden de elektrische eigenschappen verbeterd.
De nieuwe UHF-GaN-transistors bieden een grotere vermogensdichtheid en meer uitgangsvermogen in vergelijking met Si-LDMOS-transistors, zodat radartoepassingen bij een onveranderd ontwerp kunnen profiteren van een grotere reikwijdte. Het nieuwe transistortype CGHV40180 is verkrijgbaar in flens- en pilbehuizingen en optimaliseert het vermogen van radar-vermogensversterkers en militaire communicatietoepassingen in het bereik van 20 tot 1.000 MHz.
Typische toepassingen zijn in allerhande draadloze UHF-apparatuur. Met een typisch uitgangsvermogen van 250 W levert de nieuwe transistor tot wel 67 % meer continuvermogen dan gewone transistors op siliciumbasis. Dit zorgt voor een duidelijk groter bereik en voor betere herkennings- en onderscheidingsmogelijkheden, die voor defensie en voor veiligheid in de publieke ruimte van doorslaggevend belang zijn.
Het type CGHV40180 beschikt over het grootste uitgangsvermogen in zijn klasse met maximaal 270 W typisch CW-uitgangsvermogen bij 0,8 tot 1 GHz. Bovendien heeft de transistor een klein stroomverbruik dankzij een drain-efficiëntie van 75 %. GaN-HEMT’s bieden een hoog rendement, grote versterking en een grote bandbreedte, wat het type CGHV40180 geschikt maakt voor lineaire en compressie-versterkerschakelingen.
De nieuwe UHF-GaN-transistors bieden een grotere vermogensdichtheid en meer uitgangsvermogen in vergelijking met Si-LDMOS-transistors, zodat radartoepassingen bij een onveranderd ontwerp kunnen profiteren van een grotere reikwijdte. Het nieuwe transistortype CGHV40180 is verkrijgbaar in flens- en pilbehuizingen en optimaliseert het vermogen van radar-vermogensversterkers en militaire communicatietoepassingen in het bereik van 20 tot 1.000 MHz.
Typische toepassingen zijn in allerhande draadloze UHF-apparatuur. Met een typisch uitgangsvermogen van 250 W levert de nieuwe transistor tot wel 67 % meer continuvermogen dan gewone transistors op siliciumbasis. Dit zorgt voor een duidelijk groter bereik en voor betere herkennings- en onderscheidingsmogelijkheden, die voor defensie en voor veiligheid in de publieke ruimte van doorslaggevend belang zijn.
Het type CGHV40180 beschikt over het grootste uitgangsvermogen in zijn klasse met maximaal 270 W typisch CW-uitgangsvermogen bij 0,8 tot 1 GHz. Bovendien heeft de transistor een klein stroomverbruik dankzij een drain-efficiëntie van 75 %. GaN-HEMT’s bieden een hoog rendement, grote versterking en een grote bandbreedte, wat het type CGHV40180 geschikt maakt voor lineaire en compressie-versterkerschakelingen.
