Almost off: Nieuw transistortype heeft extreem weinig energie nodig
Aan de Universiteit van Cambridge is een nieuw type transistor ontwikkeld, dat genoegen neemt met extreem weinig energie en daarom heel geschikt is voor wearables en sensoren die lang moeten werken op batterijen of zelfs op energy harvesting uit secundaire energiebronnen. Zo’n transistor zou in theorie een miljard jaar kunnen werken op een AA-batterij!
Aan de Universiteit van Cambridge is een nieuw type transistor ontwikkeld, dat genoegen neemt met extreem weinig energie en daarom heel geschikt is voor wearables en sensoren die lang moeten werken op batterijen of zelfs op energy harvesting uit secundaire energiebronnen. Zo’n transistor zou in theorie een miljard jaar kunnen werken op een AA-batterij!
Cambridge is Hogwarts niet en het gaat dus niet om tovenarij, maar gewoon om het resultaat van ouderwets onderzoek naar halfgeleiders: Sungsik Lee en Arokia Nathan van de universiteit van Cambridge hebben hun onderzoeksresultaten over een dunne film-transistor gepubliceerd in het gerenommeerde blad Science onder de kop: „Subthreshold Schottky-barrier thin-film transistors with ultralow power and high intrinsic gain“ In dit artikel wordt een transistortype op basis van een dunne laag indium-gallium-tinoxide met Schottky-grenslaag beschreven, die bij heel lage spanningen (<1 V) duidelijk onder de gate-schakeldrempel in een „vast uitgeschakelde“ toestand analoog kan worden gebruikt en daarbij nog steeds een grote versterking (>400) bij een werkelijk extreem laag energieverbruik (<1 nW) heeft.
Deze TFT (Thin Film Transistor) is, doordat hij extreem hoogohmig is, heel geschikt voor toepassingen waar analoge signalen versterkt moeten worden bij een zo klein mogelijk energieverbruik en hoge frequenties niet nodig zijn, zoals bij wearables of sensoren in het veld. Het principe van de werking van de transistor berust op de omkering van het potentiaal van de Schottky-barrière tussen het halfgeleidermateriaal van de gate en het metalen drain-contact.
Cambridge is Hogwarts niet en het gaat dus niet om tovenarij, maar gewoon om het resultaat van ouderwets onderzoek naar halfgeleiders: Sungsik Lee en Arokia Nathan van de universiteit van Cambridge hebben hun onderzoeksresultaten over een dunne film-transistor gepubliceerd in het gerenommeerde blad Science onder de kop: „Subthreshold Schottky-barrier thin-film transistors with ultralow power and high intrinsic gain“ In dit artikel wordt een transistortype op basis van een dunne laag indium-gallium-tinoxide met Schottky-grenslaag beschreven, die bij heel lage spanningen (<1 V) duidelijk onder de gate-schakeldrempel in een „vast uitgeschakelde“ toestand analoog kan worden gebruikt en daarbij nog steeds een grote versterking (>400) bij een werkelijk extreem laag energieverbruik (<1 nW) heeft.
Deze TFT (Thin Film Transistor) is, doordat hij extreem hoogohmig is, heel geschikt voor toepassingen waar analoge signalen versterkt moeten worden bij een zo klein mogelijk energieverbruik en hoge frequenties niet nodig zijn, zoals bij wearables of sensoren in het veld. Het principe van de werking van de transistor berust op de omkering van het potentiaal van de Schottky-barrière tussen het halfgeleidermateriaal van de gate en het metalen drain-contact.
