Compacte schakel-MOSFET's voor mobiele apparatuur
Toshiba Electronics heeft twee nieuwe 2-in-1 MOSFET's voorgesteld, de SSM6N61NU en de SSM6L61NU, met een uitstekende warmtedissipatie en een zeer lage drain-source-ON-weerstand. Deze eigenschappen maken de nieuwe componenten zeer geschikt voor DC/DC-converters en power-management-schakelaars in mobiele apparatuur zoals smartphones en tablets.
Toshiba Electronics heeft twee nieuwe 2-in-1 MOSFET's voorgesteld, de SSM6N61NU en de SSM6L61NU, met een uitstekende warmtedissipatie en een zeer lage drain-source-ON-weerstand. Deze eigenschappen maken de nieuwe componenten zeer geschikt voor DC/DC-converters en power-management-schakelaars in mobiele apparatuur zoals smartphones en tablets.
De nieuwe SSM6L61NU and SSM6N61NU van Toshiba zijn ondergebracht in een compacte SOT-1118 (UDFN6) behuizing van slechts 2x2 mm die maximaal 1 W kan dissiperen. De SSM6N61NU bevat twee N-kanaals MOSFET's met een typische RDS(ON) van 25 mΩ, terwijl de SSM6L61NU een complementair paar van een N- en een P-kanaals MOSFET bevat met een RDS(ON) van 25 resp. 36 mΩ. Beide types kunnen maximaal 4 A DC schakelen en 16 A gepulst, de maximale voedingsspanning bedraagt 20 V. Ze kunnen worden aangestuurd met een gate-spanning van 1,5 V.
De nieuwe SSM6L61NU and SSM6N61NU van Toshiba zijn ondergebracht in een compacte SOT-1118 (UDFN6) behuizing van slechts 2x2 mm die maximaal 1 W kan dissiperen. De SSM6N61NU bevat twee N-kanaals MOSFET's met een typische RDS(ON) van 25 mΩ, terwijl de SSM6L61NU een complementair paar van een N- en een P-kanaals MOSFET bevat met een RDS(ON) van 25 resp. 36 mΩ. Beide types kunnen maximaal 4 A DC schakelen en 16 A gepulst, de maximale voedingsspanning bedraagt 20 V. Ze kunnen worden aangestuurd met een gate-spanning van 1,5 V.
