Fotonische chip met grootste frequentiebereik
Wetenschappers van UT-onderzoeksinstituut MESA+ zijn er in geslaagd om een fotonische chip uit te rusten met nieuwe ‘actieve’ functionaliteiten, zoals het genereren, versterken en moduleren van licht. Hun chip produceert een lichtspectrum dat loopt van 470 tot 2130 nanometer, het breedste spectrum dat ooit werd gerealiseerd.
Wetenschappers van UT-onderzoeksinstituut MESA+ zijn er in geslaagd om een fotonische chip uit te rusten met nieuwe ‘actieve’ functionaliteiten, zoals het genereren, versterken en moduleren van licht. Hun chip produceert een lichtspectrum dat loopt van 470 tot 2130 nanometer, het breedste spectrum dat ooit werd gerealiseerd.
Het spectrum dat de chip creëert is niet constant, maar vormt een frequentiekam met ongeveer twaalf miljoen piekjes die steeds op exact dezelfde afstand van elkaar liggen. Om dit brede spectrum te genereren gebruikten de onderzoekers een laser waarvan het licht via een lens gericht werd op een golfgeleiderstructuur gemaakt van het glasachtige materiaal Siliciumnitride (Si3N4) dat ingebed is in regulier Siliciumoxide (SiO2). De vorm en de opbouw van de structuur zorgen er voor dat het laserlicht opgesplitst wordt in het grote aantal frequenties. Het maken van de juiste structuur van het Siliciumnitride waarin, ondanks de benodigde dikte, nergens breukjes ontstaan, vormde een van de centrale uitdagingen in het onderzoek. Met een vernieuwende fabricagetechniek slaagden de onderzoekers er in om de structuur voldoende dik uit te voeren (800 nanometer dik).
Frequentiekammen maken het mogelijk om de snelheid van optische communicatietechnieken te verhogen maar ook om de precisie van atoomklokken, telescopen en GPS-apparatuur sterk te verbeteren.
Het spectrum dat de chip creëert is niet constant, maar vormt een frequentiekam met ongeveer twaalf miljoen piekjes die steeds op exact dezelfde afstand van elkaar liggen. Om dit brede spectrum te genereren gebruikten de onderzoekers een laser waarvan het licht via een lens gericht werd op een golfgeleiderstructuur gemaakt van het glasachtige materiaal Siliciumnitride (Si3N4) dat ingebed is in regulier Siliciumoxide (SiO2). De vorm en de opbouw van de structuur zorgen er voor dat het laserlicht opgesplitst wordt in het grote aantal frequenties. Het maken van de juiste structuur van het Siliciumnitride waarin, ondanks de benodigde dikte, nergens breukjes ontstaan, vormde een van de centrale uitdagingen in het onderzoek. Met een vernieuwende fabricagetechniek slaagden de onderzoekers er in om de structuur voldoende dik uit te voeren (800 nanometer dik).
Frequentiekammen maken het mogelijk om de snelheid van optische communicatietechnieken te verhogen maar ook om de precisie van atoomklokken, telescopen en GPS-apparatuur sterk te verbeteren.