Microchip onthult toonaangevende 3,3 kV siliciumcarbide (SiC) vermogenscomponenten
3,3 kV SiC MOSFET’s en Schottky barrier diodes (SBD’s) geven ontwerpers meer mogelijkheden voor hoogspanning vermogenselektronica in transport, energie en industriële systemen.
Systeemontwerpers van tractievoedingen (TPU’s), aanvullende voedingen (APU’s), halfgeleider transformatoren (SST’s), industriële motoraandrijvingen en oplossingen voor de energie infrastructuur vragen om hoogspannings schakeltechnologie voor het verbeteren van het rendement, het verkleinen van de systeemafmetingen met het verlagen van het gewicht en het verhogen van de betrouwbaarheid. Microchip Technology Inc. kondigt nu de uitbreiding aan van het SiC programma met de introductie van de laagste geleidingsweerstand [RDS(on)] 3,3 kV SiC MOSFET’s en de hoogste stroomvoerende SiC SBD’s die beschikbaar zijn op de markt, zodat ontwerpers kunnen profiteren van robuuste, betrouwbare en optimaal presterende componenten. Met de uitbreiding van Microchip’s SiC programma beschikken ontwerpers over de middelen voor het ontwikkelen van kleinere, lichtere en nog efficiëntere oplossingen voor geëlektrificeerd transport, hernieuwbare energie, lucht/ruimtevaart en industriële toepassingen.
Veel op silicium-gebaseerde ontwerpen hebben de grenzen bereikt qua verbetering van het rendement, de systeemkostenverlaging en de toepassingsinnovatie. Alhoewel hoogspannings SiC een bewezen alternatief biedt om deze resultaten te bereiken, was tot nu toe de verkrijgbaarheid van 3,3 kV SiC vermogenscomponenten beperkt. Microchip’s 3,3 kV MOSFET’s en SBD’s vullen het uitgebreide programma van de fabrikant aan dat nu bestaat uit SiC’s in de vorm van 700V, 1200V en 1700V naakte chips, discrete componenten, modulen en digitale poortstuurschakelingen.
Microchip’s 3,3 kV SiC vermogenscomponenten omvatten MOSFET’s met voor de industrie laagste RDS(on) van 25 mΩ en SBD’s met voor de industrie hoogste stroombereik van 90 A. Zowel MOSFET’s als SBD’s zijn beschikbaar als naakte chip of in een behuizing.
Met deze nieuwe prestatieniveaus kunnen ontwerpers hun ontwerp vereenvoudigen, systemen voor hogere vermogens ontwerpen en minder parallel geschakelde componenten inzetten voor kleinere, lichtere en efficiëntere voedingsoplossingen.
“We richten ons op ontwikkelingen die onze klanten de mogelijkheid geven om snel systemen te kunnen innoveren, zodat ze hun eindproducten sneller en met een aantrekkelijke concurrentiepositie kunnen aanbieden,” zegt Leon Gross, vice president van Microchip’s discrete producten bedrijfseenheid. “Onze nieuwe serie van 3,3 kV SiC vermogensproducten zorgt ervoor dat klanten met gemak, snel en betrouwbaar de overstap kunnen maken naar hoogspannings SiC en kunnen profiteren van de vele voordelen van deze opwindende technologie ten opzichte van op silicium gebaseerde ontwerpen.”
Microchip heeft honderden SiC vermogenscomponenten en oplossingen geproduceerd gedurende de afgelopen drie jaar. Hierdoor kunnen ontwerpers de juiste spanning, stroom en behuizing vinden die precies aansluit op hun toepassingswensen. Alle Microchip SiC MOSFET’s en SBD’s zijn ontwikkeld op basis van het vertrouwen van de klant in het achterhoofd, met voor de industrie toonaangevende robuustheid en betrouwbaarheid. Deze componenten zullen door Microchip net zo lang als de klanten ze nodig hebben worden geproduceerd.
Klanten kunnen Microchip SiC producten combineren met andere componenten van het bedrijf, waaronder 8-, 16- en 32-bit microcontrollers (MCU’s), componenten voor voedingsbeheer, analoge sensoren, aanrakingsgevoelige en gebaren controllers en draadloze verbindingsoplossingen voor het samenstellen van complete systeemoplossingen tegen lagere algehele systeemkosten.
Veel op silicium-gebaseerde ontwerpen hebben de grenzen bereikt qua verbetering van het rendement, de systeemkostenverlaging en de toepassingsinnovatie. Alhoewel hoogspannings SiC een bewezen alternatief biedt om deze resultaten te bereiken, was tot nu toe de verkrijgbaarheid van 3,3 kV SiC vermogenscomponenten beperkt. Microchip’s 3,3 kV MOSFET’s en SBD’s vullen het uitgebreide programma van de fabrikant aan dat nu bestaat uit SiC’s in de vorm van 700V, 1200V en 1700V naakte chips, discrete componenten, modulen en digitale poortstuurschakelingen.
Microchip’s 3,3 kV SiC vermogenscomponenten omvatten MOSFET’s met voor de industrie laagste RDS(on) van 25 mΩ en SBD’s met voor de industrie hoogste stroombereik van 90 A. Zowel MOSFET’s als SBD’s zijn beschikbaar als naakte chip of in een behuizing.
Met deze nieuwe prestatieniveaus kunnen ontwerpers hun ontwerp vereenvoudigen, systemen voor hogere vermogens ontwerpen en minder parallel geschakelde componenten inzetten voor kleinere, lichtere en efficiëntere voedingsoplossingen.
“We richten ons op ontwikkelingen die onze klanten de mogelijkheid geven om snel systemen te kunnen innoveren, zodat ze hun eindproducten sneller en met een aantrekkelijke concurrentiepositie kunnen aanbieden,” zegt Leon Gross, vice president van Microchip’s discrete producten bedrijfseenheid. “Onze nieuwe serie van 3,3 kV SiC vermogensproducten zorgt ervoor dat klanten met gemak, snel en betrouwbaar de overstap kunnen maken naar hoogspannings SiC en kunnen profiteren van de vele voordelen van deze opwindende technologie ten opzichte van op silicium gebaseerde ontwerpen.”
Microchip heeft honderden SiC vermogenscomponenten en oplossingen geproduceerd gedurende de afgelopen drie jaar. Hierdoor kunnen ontwerpers de juiste spanning, stroom en behuizing vinden die precies aansluit op hun toepassingswensen. Alle Microchip SiC MOSFET’s en SBD’s zijn ontwikkeld op basis van het vertrouwen van de klant in het achterhoofd, met voor de industrie toonaangevende robuustheid en betrouwbaarheid. Deze componenten zullen door Microchip net zo lang als de klanten ze nodig hebben worden geproduceerd.
Klanten kunnen Microchip SiC producten combineren met andere componenten van het bedrijf, waaronder 8-, 16- en 32-bit microcontrollers (MCU’s), componenten voor voedingsbeheer, analoge sensoren, aanrakingsgevoelige en gebaren controllers en draadloze verbindingsoplossingen voor het samenstellen van complete systeemoplossingen tegen lagere algehele systeemkosten.
