Microchip presenteert MPLAB® SiC Power Simulator
Met de nieuwe MPLAB® SiC power simulator kunnen klanten SiC vermogensoplossingen van Microchip in de beginfase testen.
De elektrificatie van alles stuurt de groei van SiC halfgeleiders omdat grote marktsegmenten, zoals e-mobiliteit, duurzaamheid en de industrie overschakelen op SiC vermogensoplossingen, dankzij de snelle schakeleigenschappen, het lage vermogensverlies en de betere bestandheid tegen hogere temperaturen. Om ontwerpers van vermogenselektronica te helpen bij het overstappen op SiC vermogensoplossingen met gemak, snelheid en vertrouwen, kondigt Microchip Technology vandaag de MPLAB® SiC Power Simulator aan voor het snel evalueren van Microchip’s SiC vermogenscomponenten en modulen voor diverse topologieën voordat een ontwerp in hardware wordt uitgevoerd.
“Klanten die overstappen op SiC technologie kunnen nu de web-gebaseerde MPLAB SiC Power Simulator gebruiken voor het testen en selecteren van het beste Microchip SiC product voor hun ontwerp,” zegt Clayton Pillion, vice president van Microchip’s siliciumcarbide bedrijfseenheid. “Met een investering van meer dan 20 jaar in siliciumcarbide voorziet Microchip klanten van veelzijdige vermogensoplossingen in het SiC programma dat gemakkelijk met begeleidende componenten van Microchip kan worden gecombineerd in een totaalontwerp.”
De MPLAB SiC Power Simulator is een beoordelend ontwerphulpmiddel voor OEM’s die vermogenselektronica ontwikkelen voor e-mobiliteit, duurzaamheid en industriële toepassingen, zoals elektrische voertuigen, interne laadsystemen en externe laadpalen, voedingen en opslagsystemen middels batterijen.
Microchip’s SiC programma omvat industriële koplopers in de vorm van vermogensmodulen in behuizingen met de laagste parasitaire inductie (<2.9 nH) en 3,3 kV discrete MOSFET’s en dioden met het hoogste stroombereik. Het SiC programma bestaat ook uit 700V, 1200V en 1700V die, discrete componenten en modulen, alsook uit AgileSwitch® configureerbare digitale poortstuurschakelingen.
Desz SiC componenten bieden de robuustheid en prestaties voor het leveren van een poortoxide levensduur die volgens voorspellingen meer dan 100 jaar bedraagt en dioden met een degradatie-vrij lichaam. De SiC technologie biedt hoger systeemrendement, vermogensdichtheid en temperatuurstabiliteit dan silicium bipolaire transistoren met een geïsoleerde poort (IGBT’s) in toepassingen met een hoog vermogen.
Klik hier voor meer informatie over Microchip’s siliciumcarbide halfgeleiders.
Sneller ontwerpproces
Microchip’s MPLAB SiC Power Simulator is een op PLECS-gebaseerde software omgeving die is ontwikkeld in samenwerking met Plexim wat online een aanvullend hulpmiddel oplevert zodat er geen simulatie licentie nodig is. De MPLAB SiC Power Simulator versnelt het ontwerpproces van diverse op SiC-gebaseerde vermogens-topologieën. Klanten kunnen betrouwbaar hun SiC oplossingen testen en evalueren in de ontwerpfase.“Klanten die overstappen op SiC technologie kunnen nu de web-gebaseerde MPLAB SiC Power Simulator gebruiken voor het testen en selecteren van het beste Microchip SiC product voor hun ontwerp,” zegt Clayton Pillion, vice president van Microchip’s siliciumcarbide bedrijfseenheid. “Met een investering van meer dan 20 jaar in siliciumcarbide voorziet Microchip klanten van veelzijdige vermogensoplossingen in het SiC programma dat gemakkelijk met begeleidende componenten van Microchip kan worden gecombineerd in een totaalontwerp.”
Diepgaande SiC evaluatie
Het hulpmiddel kan het op de markt brengen van een product aanzienlijk versnellen door het leveren van diepgaande SiC evaluatie die niet alleen voorziet in waardevolle referentiewaarden, maar ook de selectietijd van componenten beperkt. Een ontwerper van vermogenselektronica die kiest tussen een 25 mΩ en een 40 mΩ SiC MOSFET voor een driefasen actieve front end omvormer kan meteen beschikken over simulatieresultaten, zoals de gemiddelde vermogensdissipatie en de piek-junctietemperatuur van de componenten.De MPLAB SiC Power Simulator is een beoordelend ontwerphulpmiddel voor OEM’s die vermogenselektronica ontwikkelen voor e-mobiliteit, duurzaamheid en industriële toepassingen, zoals elektrische voertuigen, interne laadsystemen en externe laadpalen, voedingen en opslagsystemen middels batterijen.
Microchip’s SiC programma omvat industriële koplopers in de vorm van vermogensmodulen in behuizingen met de laagste parasitaire inductie (<2.9 nH) en 3,3 kV discrete MOSFET’s en dioden met het hoogste stroombereik. Het SiC programma bestaat ook uit 700V, 1200V en 1700V die, discrete componenten en modulen, alsook uit AgileSwitch® configureerbare digitale poortstuurschakelingen.
Desz SiC componenten bieden de robuustheid en prestaties voor het leveren van een poortoxide levensduur die volgens voorspellingen meer dan 100 jaar bedraagt en dioden met een degradatie-vrij lichaam. De SiC technologie biedt hoger systeemrendement, vermogensdichtheid en temperatuurstabiliteit dan silicium bipolaire transistoren met een geïsoleerde poort (IGBT’s) in toepassingen met een hoog vermogen.
Klik hier voor meer informatie over Microchip’s siliciumcarbide halfgeleiders.
