Onderzoeksinstituut IMEC (Leuven, België) heeft een heterojunction bipolaire transistor (HBT) ontwikkeld die werkt tot een frequentie van 450 GHz. Een dergelijke transistor is essentieel voor de ontwikkeling van laagvermogen radarcircuits die in auto’s kunnen worden gebruikt. Ook maakt deze ontwikkeling de toepassing van op silicium gebaseerde millimetergolfschakelingen mogelijk in beveiligingssystemen en medische apparaten die in het terahertzgebied werken.

 

De nieuwe transistor is van het heterojunction-type. Hierbij wordt gebruik gemaakt van een combinatie van twee verschillende halfgeleidermaterialen. In dit geval is er sprake van een SiGe:C-transistor waarbij een combinatie wordt gebruikt van silicum, germanium en koolstof.  Door toepassing van een uitgekiend fabricageproces waarbij de benodigde verontreinigingen in het halfgeleidermateriaal met scherpe overgangen worden aangebracht zijn de ontwikkelaars er in geslaagd om een transistor te maken met een fT van 245 GHz en een fMAX van 450 GHz. Met fT wordt de frequentie aangeduid waarbij de versterking is afgenomen tot één, en met fMAX wordt de maximale oscilleerfrequentie aangegeven. Bij het nieuwe fabricageproces is men er ook in geslaagd om de collector-basis-capaciteit van de transistor laag te houden.

 

Meer info:
http://www2.imec.be/be_en/press/imec-news/imecdotfive.html