Wil je heden ten dage informatie elektronisch opslaan, dan heb je meerdere keuzemogelijkheden, zoals SRAM, DRAM, Flash en EEPROM. Random-access-geheugens zoals SRAM en DRAM gebruiken elektrische capaciteit (in Farad) om informatie op te slaan. Dat is snel en betrouwbaar, maar zodra de voedingsspanning wegvalt is alle informatie verdwenen. Niet-vluchtig geheugen zoals Flash en EEPROM houden informatie ook zonder voeding vast, ten koste van snelheid. Toegang tot dergelijk geheugen moet middels paging en dat is ook ingewikkelder. In magnetisch geheugen, daarentegen, komen de gunstige eigenschappen van beide samen.
Dit artikel kan alleen worden gedownload door geregistreerde gebruikers.
Discussie (0 opmerking(en))