Onderzoekers aan de Universiteit van Wisconsin-Madison hebben koolstof nanobuis-transistors gefabriceerd die in staat zijn tot 1,9 maal zoveel stroom te geleiden dan hun siliciumvariant. In Science Advances rapporteren Michael Arnold en Padma Gopala over de resultaten van het team.
 
“Al 20 jaar was dit een droom van nanotechnologie-onderzoekers”, aldus Arnold. “Het maken van koolstof nanobuis-transistors die beter zijn dan silicium transistors zijn is een grote mijlpaal. Deze doorbraak is een kritische vooruitgang in de richting van het benutten van koolstof nanobuisjes in logica, snelle communicatie, halfgeleiders en andere elektronische technologieën“.
 
Om onzuiverheden te elimineren die normaal optreden in de koolstof nanobuisjes en die tot gevolg hebben dat de nanobuisjes als ‘gewone’ koperdraad functioneren, hebben de onderzoekers polymeren gebruikt, met als resultaat ultra zuivere halfgeleidende nanobuisjes.
 
Naar verwachting zouden de nieuwe transistors tot vijf maal sneller zijn of vijf maal zo weinig energie verbruiken. De ultra-kleine dimensies laten toe de signaalstroom door de transistor razendsnel te veranderen, wat leidt tot een zeer grote bandbreedte. De toepassing in HF ligt dus voorhanden.
 
Meer info: http://news.wisc.edu/for-first-time-carbon-nanotube-transistors-outperform-silicon.