Het Amerikaanse bedrijf Wolfspeed, gespecialiseerd in siliciumcarbide (SiC) vermogenscomponenten, heeft een 1000 V MOSFET voorgesteld. De nieuwe MOSFET is geoptimaliseerd voor toepassing in (auto)snelladers en industriële voedingen. Door toepassing van deze MOSFET kan het aantal componenten met 30% worden verminderd, de vermogensdichtheid kan met een factor 3 worden vergroot en het uitgangsvermogen stijgt met 33% t.o.v. vergelijkbare MOSFET's.

Ontwerpers kunnen dankzij de maximale drain-source-spanning van 1000 V het aantal componenten verminderen door van silicium-gebaseerde drietraps topologieën over te stappen naar eenvoudiger tweetraps topologieën. De toename in vermogen op een kleiner print-oppervlak is mogelijk door de ultra-lage uitgangscapaciteit van slechts 60 pF, waardoor de schakelverliezen flink worden verminderd en met een kleiner koellichaam kan worden volstaan. Bovendien kan de nieuwe MOSFET werken op hogere schakelfrequenties, zodat de spoelen en condensatoren kleiner worden.

Wolfspeed biedt voor de nieuwe MOSFET een referentie-ontwerp aan in de vorm van een 20 kW full-bridge resonant-LLC-converter, verkrijgbaar onder nummer CRD-20DD09P-2. Met dit volledig opgebouwde hardware-pakket kunnen ontwerpers de nieuwe 1000 V SiC MOSFET snel evalueren en zijn snellere schakelsnelheden en verbeterde vermogenseigenschappen uitproberen.