| 3,3 kV SiC MOSFET’s en Schottky barrier diodes (SBD’s) geven ontwerpers meer mogelijkheden voor hoogspanning vermogenselektronica in transpo...
| 3,3 kV SiC MOSFET’s en Schottky barrier diodes (SBD’s) geven ontwerpers meer mogelijkheden voor hoogspanning vermogenselektronica in transpo...
| Microchip kondigt de uitbreiding aan van het siliciumcarbide programma met een serie van zeer betrouwbare 1700 V silicon carbide MOSFET die,...
| Het Amerikaanse bedrijf Wolfspeed heeft een 1000 V MOSFET voorgesteld. De nieuwe MOSFET is geoptimaliseerd voor toepassing in (auto)snellade...