high speed CMOS - LS-TTL-snelheid gepaard met CMOS-zuinigheid

high-speed-CMOS elektuur september 1983 LS-TTL- snelheid gepaard met CMOS- zuinigheid Figuur 1. De opbouw van een chip volgens de metal- gate-CMOS-technologie. De getekende parasitaire kapaciteiten bepalen grotendeels de schakel- snelheid. 1 9-68 metal interconnect field oxide metal gate metal gate lep eleIt"e high- speed- CMOS Bij digitale schakelingen hangt het stroomverbruik nauw samen met de snelheid van de gebruikte IC"s. TTL-IC"s zijn snel, maar trekken wel veel stroom, terwijl CMOS-IC"s vrij langzaam zijn en een minimale stroomopname hebben. Door de ontwikkeling van nieuwe CMOS- technieken is het nu mogelijk om digitale IC"s te produceren die even snel zijn als LS-TTL en even zuinig met stroom omspringen als CMOS. De nieuwe IC"s zullen beslist zeer snel een nieuwe industriestandaard worden; bovendien zijn ze uitwisselbaar met de CMOS- en TTL-IC"s. Bipolaire digitale IC"s bestaan al zo"n 15 jaar. Deze eerste technologie voor digitale schake- lingen is nog altijd de snelste e...