Samsung is gestart met de massaproductie van het eerste 256-gigabit driedimensionale Vertical NAND (V-NAND) flashgeheugen dat is opgebouwd uit 48 lagen van 3-bits multi-level-cell (MLC) arrays. Het nieuwe geheugen is bedoeld voor toepassing in (multi-terabyte) SSD’s. 

De geheugencellen in de nieuwe V-NAND-chip zijn georganiseerd volgens een 3D Charge Trap Flash (CTF) structuur waarbij de cellen verticaal in 48 lagen zijn verdeeld. Deze lagen worden met elkaar verbonden door 1,8 miljard in de arrays geëtste gaten. Elke chip bevat meer dan 85,3 miljard cellen die ieder 3 databits kunnen bevatten. In totaal dus 256 Gb op een chip die niet groter is dan een vingertop. Opmerkelijk is dat de 48-laags, 3-bits MLC, V-NAND-chip met een opslagcapaciteit van 256 Gb zo’n 30% minder energie verbruikt dan een 32-laags, 3-bits MLC, V-NAND-chip met een opslagcapaciteit van 128 Gb. Bovendien zijn de productiekosten per bit 40% lager dan bij de 32-laags versie.