STMicroelectronics introduceert twee nieuwe MOSFET’s in de geavanceerde PowerFLAT DSC-behuizing (Dual Side Cooling). De componenten meten slechts 5 x 6 mm, waardoor in ECU’s (Electronic Control Units) een grotere vermogensdichtheid mogelijk wordt.

De STLD200N4F6AG en STLD125N4F6AG zijn 40-V-MOSFET’s zijn ontworpen voor automotive motorbesturingstoepassingen. De slechts 0,8 mm hoge (of dikke) PowerFLAT-behuizing heeft dezelfde footprint en thermisch geoptimaliseerde onderzijde als de standaardbehuizing, terwijl aan de bovenzijde de source-elektrode bloot ligt om de warmtedissipatie nog meer te faciliteren. Hierdoor is een grotere nominale stroom mogelijk.

Beide MOSFET’s zijn geschikt voor een maximale drainstroom van 120 A. De on-weerstand bedraagt maximaal 1,5 mΩ resp. 3,0 mΩ. De componenten kunnen dankzij de geringe gatelading (172 nC resp. 91 nC) en capaciteit efficiënt schakelen bij hoge frequenties. Het zijn de eerste leden van een nieuwe familie, geconstrueerd op basis van de STripFET F6 trench-gate structuur. Ze zijn ontwikkeld voor toepassing in extreem ruwe omgevingen en bij de hoge temperaturen die onder de motorkap voorkomen (tot 175 °C).