Infineon komt met een nieuwe familie MOSFET’s van de 800-V-klasse onder de naam CoolMOS-P7. Ze zijn gebaseerd op de zogenaamde superjunctie-technologie. De MOSFET’s worden geproduceerd in twaalf RDS(on)-klassen beginnend met 0,28 Ω en in zes verschillende behuizingen. Ze zijn vooral geschikt voor schakelende voedingen met kleine vermogens met bijvoorbeeld een flyback-topologie, zoals die wordt gebruikt in LED-lampen en vele andere toepassingen.
 
De nieuwe serie maakt een grotere efficiëntie mogelijk, waardoor de temperatuur van de MOSFET tijdens het gebruik 2...8°C lager zal zijn dan vroeger het geval was. Een geïntegreerde zenerdiode verbetert de bestendigheid tegen statische ontladingen. De kans op door ESD veroorzaakte defecten wordt daardoor gereduceerd. De MOSFET’s hebben een V(GS)th van maar 3 V bij een variantie van slechts ±0,5 V. Daardoor is een lagere voedingsspanning mogelijk en worden de schakelverliezen verminderd. Ook voorkomt het dat de MOSFET per ongeluk in het lineaire gebied wordt gebruikt.