Silicium was het belangrijkste en meest toegepaste halfgeleidermateriaal van de twintigste eeuw. Het werd door de meeste high-tech-firma's als basis voor hun ontwikkelingen gebruikt en er is zelfs een dal aan de westkust van de VS naar genoemd. Maar wat betreft de eisen voor toekomstige ontwikkelingen is men met silicium zo'n beetje aan het einde van de mogelijkheden gekomen. Zowel bij de snelheid als bij het vermogensverbruik schijnen intussen (fysische) grenzen te zijn bereikt. Het is nu de vraag of andere materialen zoals InGaAs geschikt zijn om de rol van silicium zowel technologisch als economisch over te nemen.

Volgens onderzoeker Arun Thathachary van het Penn State Materials Research Institute maakt indium-gallium-arsenide een goede kans. Het biedt een veel hogere elektronenverplaatsbaarheid dan silicium. Samsung ondersteunt zelfs het onderzoek naar het mogelijke gebruik van indium-gallium-arsenide als vervanger van silicium. In een artikel in het vakblad Nano Letters beschrijft Thathachary dat zelfs bij een structuurgrootte van slechts 5 nm nog een twee- tot drievoudige elektronenverplaatsbaarheid mogelijk is, dit heeft een sterke invloed op de met dit materiaal opgebouwde transistoren.

Foto: Elektronenmicroscoop-opname van een Multigate-FET, Arun Thathachary, Penn State