Supersnelle flexibele transistor
25 april 2016
op
op
Ingenieurs van de University of Wisconsin-Madison hebben in samenwerking met collega's van andere universiteiten een unieke methode ontwikkeld voor het eenvoudig en goedkoop fabriceren van snelle transistoren voor draadloze toepassingen op grote rollen flexibele kunststof.
De onderzoekers maakten voor de fabricage gebruik van lage-temperatuur-processen om het patroon voor de flexibele transistor door middel van een eenvoudig en goedkoop proces genaamd nanoimprint-lithografie aan te brengen op een laagje monokristallijn silicium dat was aangebracht op een substraat van polyethyleentereftalaat (beter bekend als PET).
De onderzoekers produceerden zo een transistor die werkt op een record frequentie van 38 gigahertz. Uit hun simulaties blijkt dat deze transistor in staat zou moeten zijn om nog te functioneren bij onvoorstelbare waarde van 110 gigahertz! Uiteindelijk moet het met dit productieproces mogelijk zijn om patronen in massafabricage te printen op grote rollen met plastic.
De onderzoekers maakten voor de fabricage gebruik van lage-temperatuur-processen om het patroon voor de flexibele transistor door middel van een eenvoudig en goedkoop proces genaamd nanoimprint-lithografie aan te brengen op een laagje monokristallijn silicium dat was aangebracht op een substraat van polyethyleentereftalaat (beter bekend als PET).
De onderzoekers produceerden zo een transistor die werkt op een record frequentie van 38 gigahertz. Uit hun simulaties blijkt dat deze transistor in staat zou moeten zijn om nog te functioneren bij onvoorstelbare waarde van 110 gigahertz! Uiteindelijk moet het met dit productieproces mogelijk zijn om patronen in massafabricage te printen op grote rollen met plastic.
Read full article
Hide full article
Discussie (0 opmerking(en))