Magnetisch geheugen, zogenaamd MRAM (Magnetic Random Access Memory) is sneller, efficiënter en robuuster dan andere vormen van dataopslag. MRAM slaat data op door slim gebruik te maken van de ‘spin’ van elektronen, een soort intern kompas van de deeltjes. Omdat geen elektrische lading wordt gebruikt maar magnetisme, is er sprake van een permanent geheugen - ook als de stroom uitvalt. Ook gebruikt MRAM veel minder stroom. Het opslaan van data gebeurt door de spin van de elektronen de juiste kant om te klappen, maar daarvoor is wel kortstondig een grote hoeveelheid stroom nodig.

Natuurkundigen van de TU Eindhoven (TU/e) hebben een revolutionaire techniek ontwikkeld om de magnetische bits sneller en zuiniger te kunnen schakelen. Zij sturen een stroompuls ónder de bit door, waarbij elektronen met de juiste spin omhoog, dus door de bit heen, worden afgebogen. Het nieuwe geheugen is erg snel, maar heeft een magnetisch veld nodig om het schakelen betrouwbaar te laten verlopen. De onderzoekers hebben dit opgelost door bovenop de bits een speciaal anti-ferromagnetisch materiaal aan te brengen.