| 3,3 kV SiC MOSFET’s en Schottky barrier diodes (SBD’s) geven ontwerpers meer mogelijkheden voor hoogspanning vermogenselektronica in transpo...
| 3,3 kV SiC MOSFET’s en Schottky barrier diodes (SBD’s) geven ontwerpers meer mogelijkheden voor hoogspanning vermogenselektronica in transpo...
| Microchip kondigt de uitbreiding aan van het siliciumcarbide programma met een serie van zeer betrouwbare 1700 V silicon carbide MOSFET die,...
| De Corona-crisis heeft nog steeds wereldwijd gevolgen voor zowel elektronica-fabrikanten als -consumenten. In dit nieuwsoverzicht presentere...
| Silicium kan aanzienlijk meer lithium bevatten dan het gewoonlijk bij Li-accu’s als anodemateriaal gebruikte grafiet. Het positieve gevolg:...
| Onderzoekers van Sandia National Laboratories (USA) hebben een klein apparaatje op basis van silicium ontwikkeld dat restwarmte kan benutten...
| Betere en compactere opslag van energie is de heilige graal voor technologische doorbraken in een aantal sectoren. Zo zijn bijvoorbeeld de v...
| Nieuwe, energiezuinige materialen die silicium vervangen zijn nodig om de toekomstige groei van micro-elektronica te ondersteunen. Niet alle...
| Onderzoekers van de TU Delft en Graphenea in Spanje hebben een nieuwe manier ontdekt om mechanische pixels te maken met behulp van minuscule...
| Het Amerikaanse bedrijf Wolfspeed heeft een 1000 V MOSFET voorgesteld. De nieuwe MOSFET is geoptimaliseerd voor toepassing in (auto)snellade...
| Vishay Intertechnology heeft bekend gemaakt dat verschillende Vishay Siliconix analoge schakelaars vervangen worden door exemplaren met bete...