| 3,3 kV SiC MOSFET’s en Schottky barrier diodes (SBD’s) geven ontwerpers meer mogelijkheden voor hoogspanning vermogenselektronica in transpo...
| 3,3 kV SiC MOSFET’s en Schottky barrier diodes (SBD’s) geven ontwerpers meer mogelijkheden voor hoogspanning vermogenselektronica in transpo...